DIOD SIMPANG PN

• Diod simpang pN terbentuk hasil daripada pencantuman bahan N dan bahan P.Bentuk fizikal dan simbol diod adalah seperti Rajah disebelah. 
• Semasa proses pembentukan diod,sejumlah kecil elektron di bahan N akan merentasi simpang dan mengisi lubang di bahan P.Maka terbentuklah lapisan penebat(lapisan susutan).
• Apabila anodnya disambung ke punca positif dan katod ke punca negatif,diod akan berkeadaan pincang ke depan.
• Voltan pincang ke depan yg diperlukan ialah voltan sawar yg bernilai 0.7V(diod silikon),0.3V(diod germanium).Dalam keadaan ini lapisan susutan hilang ciri penebatan dan arus dapat melaluinya.
• Apabila anod diod di sambung ke punca -ve dan katod ke +ve,ia dipincang songsang.
• Dalam keadaan ini rintangan lapisan susutan meningkat dan menyebabkan arus tidak boleh melaluinya.
• Jika nilai voltan pincang songsang sangat tinggi,arus akan mengalir dalam litar tersebut.Ia dinamai voltan pecah tebat.  
• Hubungan antara voltan pincang dan arus yg mengalir dlm litar ditunjukkan dlm lengkung ciri I-V diod seperti Rajah di bawah.